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低感值电容

国巨的低感值电容能有效地抑制高频噪音,降低输出电压时产生的涟波;特殊的逆转设计可改善电容的ESL使其成为IC封装应用中的必备项目。

 

CL

低感值电容
  • 与一般电容长宽边相反的低ESL电容器
  • 用于高频去耦应用
CL.png
*备注说明
Size
TCC
Voltage
Max Temp.
Cap. Min.
Cap. Max.
Datasheet
0204 X5R 10V 85℃ 10nF 100nF
0306 X5R 10V 85℃ 10nF 220nF
0508 X5R 10V 85℃ 100nF 1.0uF
0508 X5R 16V 85℃ 100nF 220nF
0508 X5R 25V 85℃ 10nF 100nF
0612 X5R 16V 85℃ 220nF 1.0uF
0612 X5R 25V 85℃ 100nF 1.0uF
0612 X5R 50V 85℃ 10nF 470nF
0306 X7R 10V 125℃ 10nF 220nF
0508 X7R 10V 125℃ 100nF 1.0uF
0508 X7R 16V 125℃ 100nF 220nF
0508 X7R 25V 125℃ 10nF 100nF
0612 X7R 16V 125℃ 220nF 1.0uF
0612 X7R 25V 125℃ 100nF 1.0uF
0612 X7R 50V 125℃ 10nF 470nF
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※ 国巨集团以及旗下公司不建议将一般商用或车规级产品用于高可靠性应用或载人航天飞行领域的应用。 免责声明